III-V族化合物

编辑:研读网互动百科 时间:2020-01-25 04:09:29
编辑 锁定
本词条缺少名片图,补充相关内容使词条更完整,还能快速升级,赶紧来编辑吧!
III-V族化合物,是元素周期表中III族的B,Al,Ga,In和V族的N,P,As,Sb形成的化合物,主要包括镓化砷(GaAs)、磷化铟(InP)和氮化镓等。
中文名
III-V族化合物
定    义
元素周期表中III族和V族的化合物
主要包括
镓化砷(GaAs)、磷化铟(InP)
应    用
光电子器件,光电集成
表示式
A(III)B(V)

目录

  1. 1 简介

III-V族化合物简介

编辑
III-V族化合物的表示式为A(III)B(V),如BN,BP,BAs,BSb,AlN,AlP,AlAs,AlSb,GaN,GaP,GaAs,GaSb,InAs,InN,InP和InSb。其中BN,AlN,GaN和InN是纤维锌矿结构,其余十二种为闪锌矿结构。此类材料具有闪锌矿结构(Zincblende)结构。键结方式以共价键为主。由于五价原子比三价原子具有更高的阴电性,因此有少许离子键成份。正因为如此,III-V族材料置于电场中,晶格容易被极化,离子位移有助于介电系数的增加,若电场频率在红外线范围。GaAs材料的n型半导体中,电子移动率((mn~8500)远大于Si的电子移动率((mn~1450),因此运动速度快,在高速数字集成电路上的应用,比Si半导体优越。但是,由于GaAs材料的集成电路制程极为复杂,成本也较昂贵,且成品的不良率高,单晶缺陷比Si多。因此GaAs要如同Si半导体普及应用,仍有待研发技术的努力。但另一方面,其优点是具备能够发出激光等目前硅所没有的特性。
III-V族化合物的一个是c个V族元素的离解压,以磷化物离解压为最高。III-V族半导体化合物制备方法有以下几种:液封直拉法(LEC)、高压液封直拉法(HPLEC),水平区熔法(HB)和垂直梯度凝固法(VGF)等。薄膜制备方法有液相外延(LPE),气相外延(VPE),分子束外延(MBE),化学束外延(LBE)和金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD)等。III-V族化合物半导体材料在光电子器件,光电集成,超高速微电子器件和超高频微波器件及电路上得到重要应用,有广阔前景。
词条标签:
理学